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霍爾效應測量系統 ezHEMS
上海伯東英國 NanoMagnetics 儀器 ezHEMS 霍爾效應測量系統為 Van der Pauw 和 Hall Bar 測量提供了一個創新的解決方案. ezHEMS 霍爾效應測量獨特的設計使得用戶能夠以最高分辨率和精度測量 80K 到500K 之間的樣品, 所有的磁鐵移動和溫度變化都可以自動完成而不會改變組件.
ezHEMS™ 霍爾效應測量系統軟件支持不同測量數據記錄和繪圖: I-V 曲線, 電阻, 電阻率, 薄層電阻, 磁阻, 載流子濃度, 霍爾遷移率, 霍爾系數作為溫度的函數
霍爾效應測試儀
霍爾效應測試儀 ezHEMS 主要用于測量半導體材料的載流子濃度, 遷移率, 電阻率, 霍爾系數, 導電類型等重要參數, 是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性的必備工具.
霍爾效應測試儀 ezHEMS 主要由恒電流源, 范德堡法則終端轉換器, 常溫測量系統, 低溫 ( 80K~常溫 ) 測量系統, 高溫 ( 常溫~800K ) 測量系統及固定磁場強度輸入系統組成, 擁有研究半導體材料霍爾效應所有的部件和配置, 測試速度快, 測量精度高, 重復性好.
霍爾效應測量系統 ezHEMS 主要特點
恒電流源 ( 2nA ~ 20mA ) 采用六級電流范圍設置, 將可以接收的誤差降到最低; 范德堡法則轉換使用非接觸裝置有效降低儀器噪聲, 具有可靠的精度及重現性.
具有常溫, 液氮低溫, 以及高溫測量系統 ( 80 ~ 800K )
恒定磁場( 0.6T )
不同尺寸不同材料的薄膜樣品更容易測量
測試速率快, 可同時測量得到體載流子濃度 ( Bulk carrier concentration ), 表面載流子濃度 ( Sheet carrier concentration ), 遷移率 ( Mobility ), 電阻率 ( Resistivity ), 霍爾系數 ( Hall coefficient ), 磁致電阻 ( Magnetoresistance ), 電阻的縱橫比率( Vertical / Horizontal ratio of resistance ) 等參數.
霍爾效應測量系統 ezHEMS 技術參數
電阻率: 10-4 至 109 Ω-cm ( 樣本依賴 )
遷移率: 1 至 107 cm2 / Volt-sec ( 樣本依賴 )
載流子濃度: 10e7 至 1021 per cm-3 ( 樣本依賴 )
輸入電流: ±2 nA 至 ±20 mA, ±12 V compliance
最小霍爾電壓測量: 0.1 μV
支持 Van der Pauw 和 Hall bar 成形試樣
磁場強度: 0.6 Tesla 或 1 Tesla 永久磁鐵
溫度范圍 80-750K, 分辨率 ±0.2 K, 單一系統的整個溫度范圍
可選更高的范圍
Pt-100 電阻溫度計, 750K 加熱器, PID 溫控器
通過 USB 接口進行電腦控制
樣品尺寸從 5x5 mm 至 15 mm x 15 mm, 適用樣品厚度 < 2 mm
樣品測量板: 彈簧樣品板
ezHEMS 軟件控制磁鐵運動
霍爾效應測量系統 ezHEMS 應用領域
上海伯東英國 NanoMagnetics 儀器霍爾效應測量系統 ezHEMS 可廣泛應用于半導體器件和半導體材料電學特性表征, 精確測量半導體材料的載流子濃度, 遷移率, 電阻率, 霍爾系數等重要參數.
測量材料: Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, TCO ( including ITO ), AlZnO, FeCdTe, ZnO 等所有半導體薄膜
材料導電類型判斷 (P 型和 N 型 )
材料載流子濃度, 遷移率, 方塊電阻等參數測量
材料摻雜雜質激活能測量
霍爾效應測量系統 ezHEMS
上海伯東英國 NanoMagnetics 儀器 ezHEMS 霍爾效應測量系統為 Van der Pauw 和 Hall Bar 測量提供了一個創新的解決方案. ezHEMS 霍爾效應測量獨特的設計使得用戶能夠以最高分辨率和精度測量 80K 到500K 之間的樣品, 所有的磁鐵移動和溫度變化都可以自動完成而不會改變組件.
ezHEMS™ 霍爾效應測量系統軟件支持不同測量數據記錄和繪圖: I-V 曲線, 電阻, 電阻率, 薄層電阻, 磁阻, 載流子濃度, 霍爾遷移率, 霍爾系數作為溫度的函數
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霍爾效應測試儀 ezHEMS主要用于測量半導體材料的載流子濃度, 遷移率, 電阻率, 霍爾系數, 導電類型等重要參數, 是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性的必備工具.
霍爾效應測試儀 ezHEMS 主要由恒電流源, 范德堡法則終端轉換器, 常溫測量系統, 低溫 ( 80K~常溫 ) 測量系統, 高溫 ( 常溫~800K ) 測量系統及固定磁場強度輸入系統組成, 擁有研究半導體材料霍爾效應所有的部件和配置, 測試速度快, 測量精度高, 重復性好.
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霍爾效應測量系統 ezHEMS 主要特點
恒電流源 ( 2nA ~ 20mA ) 采用六級電流范圍設置, 將可以接收的誤差降到最低; 范德堡法則轉換使用非接觸裝置有效降低儀器噪聲, 具有可靠的精度及重現性.
具有常溫, 液氮低溫, 以及高溫測量系統 ( 80 ~ 800K )
恒定磁場( 0.6T )
不同尺寸不同材料的薄膜樣品更容易測量
測試速率快, 可同時測量得到體載流子濃度 ( Bulk carrier concentration ), 表面載流子濃度 ( Sheet carrier concentration ), 遷移率 ( Mobility ), 電阻率 ( Resistivity ), 霍爾系數 ( Hall coefficient ), 磁致電阻 ( Magnetoresistance ), 電阻的縱橫比率( Vertical / Horizontal ratio of resistance ) 等參數.
霍爾效應測量系統 ezHEMS 技術參數
電阻率: 10-4 至 109 Ω-cm ( 樣本依賴 )
遷移率: 1 至 107 cm2 / Volt-sec ( 樣本依賴 )
載流子濃度: 10e7 至 1021 per cm-3 ( 樣本依賴 )
輸入電流: ±2 nA 至 ±20 mA, ±12 V compliance
最小霍爾電壓測量: 0.1 μV
支持 Van der Pauw 和 Hall bar 成形試樣
磁場強度: 0.6 Tesla 或 1 Tesla 永久磁鐵
溫度范圍 80-750K, 分辨率 ±0.2 K, 單一系統的整個溫度范圍
可選更高的范圍
Pt-100 電阻溫度計, 750K 加熱器, PID 溫控器
通過 USB 接口進行電腦控制
樣品尺寸從 5x5 mm 至 15 mm x 15 mm, 適用樣品厚度 < 2 mm
樣品測量板: 彈簧樣品板
ezHEMS 軟件控制磁鐵運動
霍爾效應測量系統 ezHEMS 應用領域
上海伯東英國 NanoMagnetics 儀器霍爾效應測量系統 ezHEMS 可廣泛應用于半導體器件和半導體材料電學特性表征, 精確測量半導體材料的載流子濃度, 遷移率, 電阻率, 霍爾系數等重要參數.
測量材料: Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, TCO ( including ITO ), AlZnO, FeCdTe, ZnO 等所有半導體薄膜
材料導電類型判斷 (P 型和 N 型 )
材料載流子濃度, 遷移率, 方塊電阻等參數測量
材料摻雜雜質激活能測量
霍爾效應測量系統 ezHEMS
上海伯東英國 NanoMagnetics 儀器 ezHEMS 霍爾效應測量系統為 Van der Pauw 和 Hall Bar 測量提供了一個創新的解決方案. ezHEMS 霍爾效應測量獨特的設計使得用戶能夠以最高分辨率和精度測量 80K 到500K 之間的樣品, 所有的磁鐵移動和溫度變化都可以自動完成而不會改變組件.
ezHEMS™ 霍爾效應測量系統軟件支持不同測量數據記錄和繪圖: I-V 曲線, 電阻, 電阻率, 薄層電阻, 磁阻, 載流子濃度, 霍爾遷移率, 霍爾系數作為溫度的函數
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霍爾效應測試儀 ezHEMS 主要用于測量半導體材料的載流子濃度, 遷移率, 電阻率, 霍爾系數, 導電類型等重要參數, 是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性的必備工具.
霍爾效應測試儀 ezHEMS 主要由恒電流源, 范德堡法則終端轉換器, 常溫測量系統, 低溫 ( 80K~常溫 ) 測量系統, 高溫 ( 常溫~800K ) 測量系統及固定磁場強度輸入系統組成, 擁有研究半導體材料霍爾效應所有的部件和配置, 測試速度快, 測量精度高, 重復性好.
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霍爾效應測量系統 ezHEMS 主要特點
恒電流源 ( 2nA ~ 20mA ) 采用六級電流范圍設置, 將可以接收的誤差降到最低; 范德堡法則轉換使用非接觸裝置有效降低儀器噪聲, 具有可靠的精度及重現性.
具有常溫, 液氮低溫, 以及高溫測量系統 ( 80 ~ 800K )
恒定磁場( 0.6T )
不同尺寸不同材料的薄膜樣品更容易測量
測試速率快, 可同時測量得到體載流子濃度 ( Bulk carrier concentration ), 表面載流子濃度 ( Sheet carrier concentration ), 遷移率 ( Mobility ), 電阻率 ( Resistivity ), 霍爾系數 ( Hall coefficient ), 磁致電阻 ( Magnetoresistance ), 電阻的縱橫比率( Vertical / Horizontal ratio of resistance ) 等參數.
霍爾效應測量系統 ezHEMS 技術參數
電阻率: 10-4 至 109 Ω-cm ( 樣本依賴 )
遷移率: 1 至 107 cm2 / Volt-sec ( 樣本依賴 )
載流子濃度: 10e7 至 1021 per cm-3 ( 樣本依賴 )
輸入電流: ±2 nA 至 ±20 mA, ±12 V compliance
最小霍爾電壓測量: 0.1 μV
支持 Van der Pauw 和 Hall bar 成形試樣
磁場強度: 0.6 Tesla 或 1 Tesla 永久磁鐵
溫度范圍 80-750K, 分辨率 ±0.2 K, 單一系統的整個溫度范圍
可選更高的范圍
Pt-100 電阻溫度計, 750K 加熱器, PID 溫控器
通過 USB 接口進行電腦控制
樣品尺寸從 5x5 mm 至 15 mm x 15 mm, 適用樣品厚度 < 2 mm
樣品測量板: 彈簧樣品板
ezHEMS 軟件控制磁鐵運動
霍爾效應測量系統 ezHEMS 應用領域
上海伯東英國 NanoMagnetics 儀器霍爾效應測量系統 ezHEMS 可廣泛應用于半導體器件和半導體材料電學特性表征, 精確測量半導體材料的載流子濃度, 遷移率, 電阻率, 霍爾系數等重要參數.
測量材料: Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, TCO ( including ITO ), AlZnO, FeCdTe, ZnO 等所有半導體薄膜
材料導電類型判斷 (P 型和 N 型 )
材料載流子濃度, 遷移率, 方塊電阻等參數測量
材料摻雜雜質激活能測量
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